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【会议论文】脉冲式MOCVD法沉积β-Ga₂O₃薄膜
[ 2023-04-21 ] -
【会议论文】具有可调带隙的外延(InGa)₂O₃和(AlGa)₂O₃薄膜的化学溶液沉积
[ 2023-04-21 ] -
【会议论文】卤化物气相外延法生长(001)β-Ga₂O₃时,反应物气体对生长表面形态的影响
[ 2023-04-21 ] -
【会议论文】观察β-Ga₂O₃在LPCVD过程中独立控制镓前驱体和衬底温度
[ 2023-04-21 ] -
【会议论文】β-Ga₂O₃(-201)薄膜和CeO₂(001)衬底之间异质集成的外延关系的阐释
[ 2023-04-21 ] -
【会议论文】蓝宝石衬底α-Ga₂O₃/α-V₂O₃异质结构的生长和结构分析
[ 2023-04-21 ] -
【会议论文】MBE法在(-201)β-Ga₂O₃上生长GaN
[ 2023-04-21 ] -
【会议论文】在ScAlMgO₄衬底上通过Mist-CVD法生长Ga₂O₃薄膜
[ 2023-04-21 ] -
【会议论文】通过低温氧化物-分子束外延在β-(InₓGa₁₋ₓ)₂O₃中进行带隙调谐
[ 2023-04-21 ] -
【会议论文】Mist-CVD工艺中合成条件对α-Ga₂O₃薄膜生长的影响
[ 2023-04-21 ]