【外延论文】后退火和氧气对 Sn 掺杂 β-Ga₂O₃ 薄膜性能的影响

        由韩国嘉泉大学的研究团队在学术期刊 Transactions on Electrical and Electronic Materials 发布了一篇名为 Effect of Post-Annealing and Oxygen on the Properties of Sn-Doped β-Ga₂O₃ Thin Film（后退火和氧气对Sn掺杂 β-Ga₂O₃ 薄膜性能的影响）的文章。

摘要

        β-Ga₂O₃ 是一种适用于下一代功率半导体和光电子学的卓越材料，其优异性能包括出色的热稳定性和化学稳定性、宽禁带以及高击穿电压。本研究采用反应性溅射法，在不同氧气流量下于硅衬底上沉积了厚度为 200 nm 的 Sn 掺杂 β-Ga₂O₃ 薄膜。溅射后，样品在不同温度和时间下进行后退火处理，并研究了 Sn 掺杂 β-Ga₂O₃ 薄膜的结构和电学性能。X 射线衍射分析证实了 Ga₂O₃ 的 β 相在 600℃ 时出现，并研究了各条件下的结晶趋势。通过扫描电子显微镜观察薄膜的表面形态，发现 600℃ 以上出现裂纹，这可能归因于 Si 衬底与 Ga₂O₃ 薄膜之间晶格和热膨胀系数不匹配导致的薄膜应力。最后，通过霍尔效应测量对 Ga₂O₃ 薄膜的电学性能进行了考察。因此，成功研究了后退火和氧气流量条件对 Sn 掺杂 β-Ga₂O₃ 薄膜的影响。

原文链接：

https://doi.org/10.1007/s42341-025-00623-x