【国际论文】LiGa₅O₈/β-Ga₂O₃ 和Ga₂O₃/Ni/Au 表面的原子尺度缺陷形成与演化

        近期，由美国俄亥俄州立大学的研究团队在学术期刊Microscopy and Microanalysis发布了一篇名为Atomic Scale Defect Formation and Evolution at LiGa₅O₈/β-Ga₂O₃ and Ga₂O₃/Ni/Au Interfaces（LiGa₅O₈/β-Ga₂O₃ 和Ga₂O₃/Ni/Au 表面的原子尺度缺陷形成与演化）的文章。

摘要

        β-氧化镓（β-Ga₂O₃）具有超宽带隙、高击穿电压和可调 n 型掺杂等独特优势，是未来电力电子器件的理想候选材料。我们使用扫描透射电子显微镜（STEM）结合光谱学方法来了解 Ga₂O₃ 材料和界面的独特结构-性能关系。本研究将介绍最近对 Ga₂O₃ 两种新型界面的研究。

原文链接：

https://doi.org/10.1093/mam/ozae044.529