【国内论文】在蓝宝石衬底上生长的未掺杂的 β-Ga₂O₃ 层厚度对 MOSFET 性能的影响

         近期，由台湾阳明交通大学的研究团队在学术期刊《ACS Applied Electronic Materials》发布的一篇名为Undoped β-Ga₂O₃ Layer Thickness Effect on the Performance of MOSFETs Grown on a Sapphire Substrate（在蓝宝石衬底上生长的未掺杂的 β-Ga₂O₃ 层厚度对 MOSFET 性能的影响）的文章。

摘要

         通过金属有机化学气相沉积法在(0001)蓝宝石衬底上生长了各种未掺杂（UID）层厚度（50、100和200 nm）的(-201) β-Ga₂O₃金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFETs），这些层位于Si四乙氧基硅烷（TEOS）掺杂膜之下。UID层的厚度导致MOSFET的开启电流从1.7 μA/mm增加到700 μA/mm，R_ON从1.13 MΩ·mm降低到3.8 kΩ·mm，击穿电压从910 V降低到240 V。通过X射线光电子能谱（XPS）分析，我们将这增加的开启电流和减小的击穿电压归因于氧空位。

原文链接：https://doi.org/10.1021/acsaelm.3c01558