【国内论文】掺杂 Ta 以及 Hi 和 Vo 的点缺陷对 β-Ga₂O₃ 光电特性影响的第一性原理研究

        由内蒙古工业大学的研究团队在科学期刊《Physica Status Solidi (B)》发表了一篇名为First-Principles Study on the Effects of Ta Doping and Point Defects of Hi and Vo on the Photoelectric Properties of β-Ga₂O₃（掺杂 Ta 以及 Hi 和 Vo 的点缺陷对 β-Ga₂O₃ 光电特性影响的第一性原理研究）的文章。

摘要

        本文基于第一性原理密度泛函理论计算，研究了Ta掺杂的β-Ga₂O₃的光电特性。同时，考虑了H间隙和O空位对系统性质的影响。对所有系统的电子结构、介电函数、吸收谱、迁移率和电导率进行了全面的研究和分析。结果显示，Ta掺杂的β-Ga₂O₃是一种n型直接带隙半导体。随着Ta掺杂浓度的增加，系统的介电常数、极化能力和电荷结合能力逐渐增加，带隙逐渐变窄，系统的吸收光谱发生红移。所有系统的主要吸收波长都在小于300 nm的波长范围内。因此，Ta掺杂的β-Ga₂O₃具有紫外光检测能力。Ta的引入有助于提高系统的电导率。H间隙能提高系统的电导率。

原文链接：https://doi.org/10.1002/pssb.202300461