【会议论文】具有高传热性的多kV级同质外延Ga₂O₃-on-SiC功率MOSFETs

        论文简介：来自加州大学圣芭芭拉分校、宾夕法尼亚州立大学2D 机械工程系、俄亥俄州立大学材料科学与工程系、美国现代微系统和美国Kyma Technologies的Arkka Bhattacharyya、 Yiwen Song、Anwarul Karim、Daniel Shoemaker、Hsien-Lien Huang、Saurav Roy、Craig McGray、Jacob H. Leach、Jinwoo Hwang、Sukwon Choi和Sriram Krishnamoorthy联合发表了一篇名为《Multi-kV class homoepitaxial Ga₂O₃-on-SiC power MOSFETs with high heat transfer performance》的论文文章。该文章介绍了具有高传热性的多kV级同质外延Ga₂O₃-on-SiC功率MOSFETs。