【会议论文】平均击穿强度为2.7MV/cm的增强模式垂直（100）β-Ga₂O₃ FinFETs

        论文简介：来自莱布尼茨学会保罗-德鲁德固体电子学研究所和莱布尼茨研究所(IKZ)的K. Tetzner、M. Klupsch、A. Popp、S. Bin Anooz、T.-S. Chou、Z. Galazka、K. Ickert、M. Matalla、R.-S. Unger、E. Bahat Treidel、M. Wolf、J. Würfl和O. Hilt联合发表了一篇名为《Enhancement-mode vertical (100) β-Ga₂O₃ FinFETs with an average breakdown strength of 2.7 MV/cm》的论文文章。该文章介绍了平均击穿强度为2.7MV/cm的增强模式垂直（100）β-Ga₂O₃ FinFETs。