【国际论文】垂直器件中原位镁掺杂β-Ga₂O₃电流阻断层的电学特性

        近日由美国 纽约州立大学布法罗分校和俄亥俄州立大学的研究团队在科研网站《Researchgate》发布了一篇名为Electrical Characteristics of in situ Mg-doped beta-Ga₂O₃ Current-Blocking Layer for Vertical Devices（垂直器件中原位镁掺杂β-Ga₂O₃电流阻断层的电学特性）的论文文章。

内容摘要

        本文旨在解决垂直氧化镓（Ga₂O₃）器件开发中缺乏p型掺杂的问题。通过使用深能级施主的电流阻断层（CBL），已经展示了垂直器件的实现。文中首次展示了利用MCVD法生长的原位Mg掺杂β-Ga₂O₃ CBL。设计了具有不同目标Mg掺杂浓度的原位Mg掺杂层的器件结构，并通过定量次级离子质谱（SIMS）进行了校准。使用n-Mg掺杂-n结构的温度依赖电流-电压测量来表征CBL的有效性，为揭示其潜在机制提供了关键见解。为了进一步验证实验结果，进行了TCAD模拟，并发现电活性有效掺杂浓度取决于Mg掺杂密度，为优化CBL性能提供了新的视角。击穿测量显示3.4 MV/cm的电场强度。该研究代表了在Ga₂O₃器件开发方面的重要进展，并为未来此领域的进一步发展铺平了道路。

原文链接：https://www.researchgate.net/publication/369974780_Electrical_Characteristics_of_in_situ_Mg-doped_beta-Ga2O3_Current-Blocking_Layer_for_Vertical_Devices