【会议论文】超过0.9 GW/cm²的多kV级fin型β-Ga₂O₃功率MESFETs

      论文简介：来自犹他大学电子和计算机工程系、加州大学圣芭芭拉分校的Arkka Bhattacharyya、Saurav Roy、Praneeth Ranga、Carl Peterson和Sriram Krishnamoorthy联合发表了一篇名为《Over 0.9 GW/cm² multi kV-class fin-shape β-Ga₂O₃ power MESFETs》的论文文章。论文介绍了超过0.9 GW/cm²的多kV级fin型β-Ga₂O₃功率MESFETs。