【会议论文】具有42µm厚漂移层和HfO₂栅极绝缘体的5.0 kV常关β-Ga₂O₃ FinFET

        论文简介：来自日本NCT的D. Wakimoto、 C.-H. Lin、Q. T. Thieu、H. Miyamoto、K. Sasaki和A. Kuramata联合发表了一篇名为《5.0 kV normally-off β-Ga₂O₃ FinFET with 42 μm-thick drift layer and HfO₂ gate insulator》的论文文章。论文介绍了具有42µm厚漂移层和HfO₂栅极绝缘体的5.0 kV常关β-Ga₂O₃ FinFET。