【会议论文】不使用贵金属坩埚的β-Ga₂O₃单晶新生长技术

        论文简介：来自日本C&A和日本东北大学的I. Takahashi、V. Kochurikhin、T. Tomida、T. Sugawara、Y. Shoji、K. Kamada、K. Kakimoto和A. Yoshikawa联合发表了一篇名为《A new growth technique for β-Ga₂O₃ single crystals without a precious metal crucible》的论文文章。文章介绍了不使用贵金属坩埚的β-Ga₂O₃单晶新生长技术。