【会议论文】垂直布里奇曼技术生长的块状β-Ga₂O₃单晶中的线缺陷

        论文简介：来自信州大学工程学院、不二越机械工业的T. Taishi、N. Kobayashi、K. Onozuka、E. Ohba和K. Hoshikawa联合发表了一篇名为《Line-shaped defects in bulk β-Ga₂O₃ single crystals grown by the vertical Bridgman technique》的论文文章。文章介绍了垂直布里奇曼技术生长的块状β-Ga₂O₃单晶中的线缺陷。