【会议论文】高κTiO₂夹层的场内电镀β-Ga₂O₃ MIS二极管，可提高击穿和降低漏电电流

        论文简介：来自美国空军研究实验室材料和制造局和加州大学圣芭芭拉分校的Nolan S. Hendricks、Andrew J. Green、Ahmad Islam、Kevin Leedy、Kyle Liddy、Jeremiah Williams、Esmat Farzana、James S. Speck和Kelson D. Chabak联合发表了一篇名为《Field plated β-Ga₂O₃ MIS diodes with high-κ TiO₂ interlayer for increased breakdown and reduced leakage current》的论文文章。该文章介绍高κTiO₂夹层的场内电镀β-Ga₂O₃ MIS二极管，可提高击穿和降低漏电电流。