【会议论文】β-Ga₂O₃肖特基势垒二极管中的位错及其在器件运行中的滑移和增殖的透视和原位X射线形貌观察

        论文简介：来自日本精细陶瓷中心（JFCC）、日本NCT和高能加速器研究机构（KEK）的Y. Yao、D. Wakimoto、H. Miyamoto、K. Sasaki、A. Kuramata、K. Hirano、Y. Sugawara和Y. Ishikawa联合发表了一篇名为《Operando and ex-situ X-ray topographic observation of dislocations in β-Ga₂O₃ Schot-tky barrier diodes and their glide and multiplication under device operation》的论文文章。该文章介绍了β-Ga₂O₃肖特基势垒二极管中的位错及其在器件运行中的滑移和增殖的透视和原位X射线形貌观察。