【会议论文】利用Borrmann效应同步辐射X射线形貌术对大面积厚EFG β-Ga₂O₃基片进行位错分析

        论文简介：来自日本精细陶瓷中心（JFCC）、兵库大学、高能加速器研究机构和日本NCT的Y. Yao、Y. Tsusaka、K. Hirano、K. Sasaki、A. Kuramata、Y. Sugawara和Y. Ishikawa联合发表了一篇名为《Dislocation analysis for large-area thick EFG β-Ga₂O₃ substrates using Borrmann effect synchrotron x-ray topography》的论文文章。该文章介绍了利用Borrmann效应同步辐射X射线形貌术对大面积厚EFG β-Ga₂O₃基片进行位错分析。