【会议论文】MOCVD硅掺杂的β-(AlₓGa₁₋ₓ)₂O₃凹陷栅极MESFET的论证

        论文简介：来自美国国家研究委员会博士后研究员、美国海军研究实验室、美国弗吉尼亚理工大学和美国Agnitron技术公司的Hannah N. Masten、James Spencer Lundh、Joseph A. Spencer、Fikadu Alema、Andrei Osinsky、Alan G. Jacobs、Karl D. Hobart和Marko J. Tadjer联合发表的一篇名为《Demonstration of MOCVD Si-doped β-(Al_xGa_1-x)₂O₃ recessed-gate MESFET》的论文文章。该文章介绍了MOCVD硅掺杂的β-(Al_xGa_1-x)₂O₃凹陷栅极MESFET的论证。