【会议论文】使用高k电介质的多通道底栅In₂O₃晶体管

        论文简介：来自阿卜杜拉国王科技大学高级半导体实验室的Dhanu Chettri、Saravanan Yuvaraja、Na Xiao和Xiaohang Li联合发表了一篇名为《Multi-channel bottom gate In₂O₃ transistor using high k dielectrics》的论文文章。论文介绍了使用高k电介质的多通道底栅In₂O₃晶体管。