【会议论文】在κ-Ga₂O₃上实现高度整流的肖特基势垒二极管和pn-异质结

        论文简介：来自德国莱比锡大学和Felix Bloch固体物理研究所的Max Kneiß、Fabian Schöppach、Daniel Splith、Peter Schlupp、Anna Hassa、Holger von Wenckstern、Michael Lorenz和Marius Grundmann联合发表了一篇名为《Realization of highly rectifying Schottky barrier diodes and pn-heterojunctions on κ-Ga₂O₃》的论文文章。文章介绍了在κ-Ga₂O₃上实现高度整流的肖特基势垒二极管和pn-异质结。