【国际论文】从电容瞬变中研究β-Ga₂O₃衬底材料的缺陷

        近日，美国空军实验室（AFRL）在学术期刊Journal of Vacuum Science & Technology B上投稿了一篇名为《Investigation of a defect in the β-Ga₂O₃ substrate material from capacitance transients》的论文文章。论文简要内容为β-Ga₂O₃是一种宽带隙半导体材料，预计将极大地影响下一代电力电子、射频电子和传感设备。这种材料的电子缺陷是目前可预见的未来限制最先进设备性能的最紧迫问题之一。这些缺陷会影响Ga₂O₃晶体管的掺杂补偿、泄漏电流和阈值稳定性。我们使用比传统的深层次瞬时光谱技术有实质性改进的匹配阿伦尼乌斯方程投影技术对β-Ga₂O₃宽禁带半导体传导带边缘~0.8eV的缺陷进行研究。开发了可绕过速率窗处理和阿伦尼乌斯作图法来提取缺陷的活化能E_a和试图逃逸的频率ν₀的实验技术。该技术只需要时域中的原始电容瞬态。电容瞬变在温度和时间域之间以及在E_a和ν₀域之间进行投影。E_a和ν₀的提取是通过将投影和实验电容瞬态相互匹配来实现。