【会员新闻】重大突破！山东国镓晶谷成功制备6英寸0孪晶（001）主面氧化镓单晶，推动超宽禁带半导体产业提质升级

        “十五五”规划开局之年，超宽禁带半导体领域再传捷报！

        山东国镓晶谷半导体科技有限公司继成功实现4英寸氧化镓单晶产业化后，再次取得历史性技术突破。基于两项核心自主创新技术：氧化镓孪晶与典型缺陷抑制技术和AI自动晶体生长批量化制备技术，国镓晶谷采用优化的导模法成功制备出6英寸0孪晶（001）主面氧化镓单晶（图1）。经国内权威第三方检测机构验证，该单晶的高分辨XRD摇摆曲线半高宽为64.8 arcsec（图2），晶体质量达到国际领先水平。

图1 导模法生长6英寸0孪晶（001）主面氧化镓单晶

图2 高分辨XRD摇摆曲线半高宽

        氧化镓作为第四代超宽禁带半导体核心材料，因其优异的高耐压、大电流、低损耗及抗辐照等特性，在数据中心、特高压输变电、新能源汽车、智能电网、轨道交通、高功率雷达、航空航天等领域具有广阔的应用前景。国家“十五五”规划纲要“新产业新赛道培育发展”专栏已明确强调，要“加快宽禁带半导体产业提质升级，推动氧化镓等超宽禁带半导体产业化发展”。本次6英寸0孪晶（001）主面氧化镓单晶制备技术的重大突破，积极响应了国家重大战略需求的号召，为我国抢占“未来产业竞争制高点”提供了有利的材料基础。

        本次氧化镓单晶制备技术的突破，并非简单的尺寸放大，而是一次兼顾尺寸和晶面的晶体质量飞跃。作为对称性较低的单斜晶系氧化镓晶体，贯穿性孪晶缺陷致使产业界存在“长大切小”及“以（100）面氧化镓单晶为主”的被动局面，严重阻碍了其产业化的应用进程。而（001）面氧化镓单晶具有更优异的加工性能和外延质量，更适合制备高性能、高可靠性的电力电子器件，是未来产业化应用的主流衬底方向。国镓晶谷成功攻克这一世界性难题，制备出6英寸0孪晶（001）主面氧化镓单晶，彻底打破了"孪晶缺陷"和"晶面单一"的双重限制，标志着公司成为全球少数掌握2-6英寸全系列0孪晶氧化镓单晶制备技术的高科技企业之一。

        面向未来，国镓晶谷将始终坚持"质量为先、创新驱动"的发展理念，一方面持续攻克更大尺寸、更高质量、更多晶面的氧化镓单晶制备技术；另一方面，将紧密围绕国家战略需求和新能源、新基建等终端市场，联合上下游合作伙伴打造"衬底-外延-器件-系统-可靠性"全产业链创新生态。

        我们将以此次突破为新起点，加速推动我国氧化镓半导体产业链贯通和提质升级，为实现高水平科技自立自强贡献"国镓力量"！