【会员新闻】化合物半导体国际会议CSW 2026于日本熊本举办：NCT出展并作邀约报告聚焦氧化镓器件进展

        近日，株式会社Novel Crystal Technology宣布，将参加于日本熊本举办的Compound Semiconductor Week 2026，并进行邀请报告及展览展示。

        CSW（Compound Semiconductor Week）是化合物半导体领域的重要国际会议之一，聚焦材料、器件及应用等方向的最新进展。

        2026年会议安排如下：

        •时间：2026年5月24日–28日

        •地点：熊本城（日本熊本）

        本届会议将由第52届International Symposium on Compound Semiconductors与第37届International Conference on Indium Phosphide and Related Materials联合举办，覆盖化合物半导体领域的前沿研究与技术应用，是该领域具有持续影响力的学术交流平台。

        预了解详情，可参考会议官网：https://csw-jpn.org/

        作为近年来备受关注的超宽禁带半导体材料，β-Ga₂O₃在高压功率器件领域展现出潜在优势。本次报告聚焦沟槽结构垂直肖特基二极管，体现了该材料在器件结构与性能优化方面的最新探索。

        随着CSW持续整合ISCS与IPRM两大会议体系，其议题覆盖面和学术影响力不断扩大，也使其成为观察化合物半导体前沿方向的重要窗口之一。

        在本次会议中，Novel Crystal Technology将带来一场Ga₂O₃方向的邀请报告，具体信息如下：

        •专题：Joint – Ga₂O₃ Power Devices

        •时间：2026年5月26日（星期二）16:30–17:00（日本时间）

        •地点：Room C（3层）

        •报告类型：邀请报告

        •报告题目：Progress of β-Ga₂O₃ Trench-Implemented Vertical Schottky Diodes（β-Ga₂O₃沟槽结构垂直肖特基二极管的研究进展）