【器件论文】基于牺牲层技术的Ga₂O₃纳米线阵列深紫外探测器在选定区域的自组织生长

        由北京工业大学的研究团队在学术期刊Chinese Physics B发布了一篇名为Self-organized growth of Ga₂O₃ nanowire array deep-ultraviolet detectors in selected areas of sacrificial layer technology（基于牺牲层技术的Ga₂O₃纳米线阵列深紫外探测器在选定区域的自组织生长）的文章。

摘要

        第四代宽禁带半导体氧化镓（Ga₂O₃）纳米线紫外（UV）探测器具备多项优势，包括灵敏度高、响应速度快，且光谱响应范围宽广，可覆盖日盲紫外波段。然而，由于氧化镓纳米线在衬底上的选择性生长能力相对较弱，通过自组装方法制备横向结构器件仍存在较大挑战。当前，多数纳米器件结构依赖垂直定向阵列，这类结构存在光敏面积有限、难以实现大规模平面阵列制备等短板。为此，本研究提出一种牺牲层辅助的氧化镓纳米线选区自组织生长方法，用于制备深紫外（DUV）探测器。研究采用多种金属及金属复合材料作为牺牲层，通过系统对比筛选出最优材料。依托该方法，设计并制备了基于横向桥接氧化镓纳米线的日盲紫外探测器。在入射光功率密度为2 mW/cm² 的条件下，该器件的光暗电流比达到 8.7。总体而言，牺牲层技术推动了氧化镓纳米线基平面器件向实用化部署与性能优化方向发展。此外，该技术可拓展应用于各类氧化镓纳米线阵列器件的制备，具备漏电流低、串扰可忽略、器件集成密度高等优势。

DOI：

10.1088/1674-1056/ae4e85