【专家风采】魏同波 —— 技术专家委员会委员

个人简介

魏同波

      中国科学院半导体研究所研究员，博士生导师，国家重点研发计划项目首席。2007年于中国科学院半导体研究所获得博士学位，随后在半导体所照明研发中心工作至今，2015年-2016年在美国康奈尔大学电子工程与计算机学院访问学习。长期从事宽禁带半导体氮化物光电子材料外延与器件研究，包含大失配体系异质外延、新型微纳光电器件、深紫外发光与探测等。以第一或通讯作者在Adv. Mater.、J. Am. Chem. Soc.、Light Sci. Appl.等期刊发表氮化物相关SCI论文90余篇，引用3000余次，授权专利30余项，出版专著一部，参编著作两部。现担任Journal of Semiconductors编委、发光学报青年编委。

成果展示

      魏同波研究员从事宽禁带半导体光电子材料与器件研究工作十余年，主要致力于GaN衬底生长、薄膜材料外延、LED和探测器器件工艺和相关器件物理研究。主要研究内容包括非极性GaN衬底制备、蓝光LED量子结构调控与设计、深紫外LED效率提升以及二维范德华外延氮化物器件等，相关工作先后16次被半导体国际知名杂志Compound Semiconductor和Semiconductor Today作为研究亮点进行报道。基于氧化镓单晶衬底，开展了GaN和AlGaN异质外延研究，制备了垂直结构LED器件（CrystEngComm，2020, 22, 3122, Opt. Lett. 2022, 47, 3299），探索了Ga₂O₃和GaN异质界面的整流特性（J. Appl. Phys. 2020, 127, 015302）。结合GaN热氧化方式，也制备了高性能双波长响应的Ga₂O₃紫外探测器（Opt. Lett. 2019, 44, 2197）。

专家寄语

      β-Ga₂O₃与GaN的晶格失配仅为1.9%，具有高的禁带宽度（4.8 eV），且通过掺杂可实现10¹⁹cm^-3的n型浓度，具有良好的导电性，因此是深紫外LED理想的衬底材料。如能实现高质量AlGaN薄膜外延，无须剥离、转移等复杂工艺，就可以实现大功率垂直结构深紫外LED器件，对提升深紫外LED性能具有重要价值。所以采用β-Ga₂O₃衬底的深紫外LED技术，一旦获得技术突破，将极大促进整个深紫外LED产业界的发展。团队未来将致力于β-Ga₂O₃上深紫外LED材料生长和器件制备，探索异质外延中相关的科学问题。