【外延论文】基于射频粉末溅射沉积的非化学计量无定形 Ga₂O₃−δ 薄膜的紫外光探测器

        由韩国朝鲜大学的研究团队在学术期刊 Materials Science in Semiconductor Processing 发布了一篇名为 Ultraviolet photodetectors based on non-stoichiometric amorphous Ga₂O₃−δ thin films deposited by radio-frequency powder sputtering（基于射频粉末溅射沉积的非化学计量无定形 Ga₂O₃−δ 薄膜的紫外光探测器）的文章。

摘要

        本文报道了一种基于非化学计量非晶态 Ga₂O₃₋δ 薄膜的紫外（UV）光电探测器性能，该薄膜采用射频粉末溅射法沉积。在基底温度为 25 °C 条件下，Ga₂O₃₋δ 薄膜在蓝宝石（0001）衬底上以非晶相生长。硬 X 射线光电子能谱（HAXPES）分析显示，由于氧缺陷引起的亚氧化物 Ga₂O 和金属 Ga 物质存在，所沉积薄膜的化学组成高度偏离化学计量比。随后制备了金属-半导体-金属（MSM）光电探测器，并研究了其在紫外光照射下的光响应特性。光暗电流比约为 2.91 × 10⁵。在施加 10 V 偏压、波长为 250 nm 条件下，光响应度和比探测率分别约为 29.54 A/W 和 8.95 × 10¹⁴ Jones。结果表明，厚度小于 100 nm 的非化学计量非晶 Ga₂O₃₋δ 薄膜适合制备具有自供电特性的日盲光电探测器。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.mssp.2025.109972