【器件论文】研究使用分裂堆叠凹栅设计的 β-Ga₂O₃ MOSFET实现S波段最大增益放大器

        由印度德里大学的研究团队在学术期刊 Semiconductor Science and Technology 发布了一篇名为 Investigation of Maximum Gain Amplifier using a Split Stacked Recessed Gate design on β-Ga₂O₃ MOSFET for S - band Applications（研究使用分裂堆叠凹栅设计的 β-Ga₂O₃ MOSFET实现S波段最大增益放大器）的文章。

摘要

        在本工作中，基于所提出的器件——分层堆叠凹陷栅 β-Ga₂O₃ MOSFET，在 3 GHz 频率下设计了一种最大增益放大器。利用 TCAD Silvaco 进行了大量仿真，以研究该器件的模拟和射频特性。结果表明，与传统器件相比，所提出的器件表现出 8 倍的截止频率、6 倍的增益带宽积以及 3 倍的跨导频率积。此外，还提取了寄生电容、散射参数、最大电流增益和功率增益，并基于这些参数设计了最大增益放大器。仿真结果显示，该放大器在 3 GHz 时的增益可达到 14.02 dB。

原文链接：

https://doi.org/10.1088/1361-6641/adfe10