【外延论文】对通过射频磁控溅射在多孔硅硅衬底上制备的 β-Ga₂O₃ 薄膜的机械应力进行研究

        由爱尔兰都柏林大学的研究团队在学术期刊 The European Physical Journal Applied Physics (EPJAP) 发布了一篇名为 Investigation of mechanical stresses in β-Ga₂O₃ films obtained by radio frequency magnetron sputtering on porous-Si/Si substrate（对通过射频磁控溅射在多孔硅/硅衬底上制备的 β-Ga₂O₃ 薄膜的机械应力进行研究）的文章。

摘要

        作为半导体行业中一种现代且有前景的材料，氧化镓具有广泛的应用可能性，这使得对其低成本薄膜生长方法的研究变得尤为必要，尤其是在非本征衬底上的生长。一种减轻由于氧化镓薄膜与衬底材料的结构和晶格参数不匹配而产生的缺陷的方法是使用具有多孔表面的衬底。在本研究中，采用射频磁控溅射法在多孔硅/硅衬底上沉积了 1 μm 厚的β-氧化镓薄膜。拉曼散射和 X 射线衍射分析表明所获得的氧化镓薄膜质量很高。残余机械应力的大小通过定量评估获得，基于 XRD 数据分析和拉曼光谱分析分别得到 1.4 GPa 和 1.8 GPa 的数值。

原文链接：

https://doi.org/10.1051/epjap/2025021