【会员新闻】氧化镓外延材料 “缺陷攻坚”！西电何云龙教授解析缺陷机理与表面平整化方案

嘉宾简介

        副教授，长期从事宽禁带半导体材料外延与功率器件研发工作。主持国家自然科学基金青年项目与面上项目等课题，参与多项国家级科技重大项目；以第一作者或通讯作者发表高水平学术论文30余篇,申请发明专利70余项，获得授权发明专利20余项。

演讲摘要

        1. 报告人对氧化镓外延薄膜界面处工艺诱导缺陷的微结构进行了详细探究，并通过优化生长条件有效抑制了该缺陷的形成；

        2. 报告人通过脉冲Al辅助外延生长技术，提升氧化镓薄膜表面原子迁移速率，有效降低外延薄膜的表面粗糙度。