【其他论文】β-Ga₂O₃/SnO₂ 纳米线网络中的工程光学和电子特性

        由欧洲同步辐射光源（ESRF）的研究团队在学术期刊 Nano Letters 发布了一篇名为 Engineered Optical and Electronic Properties in β-Ga₂O₃/SnO₂ Nanowire Networks（β-Ga₂O₃/SnO₂ 纳米线网络中的工程光学和电子特性）的文章。

摘要

        半导体纳米线的集成对于开发可扩展且多功能的纳米器件至关重要，但目前仍面临优化光学发射、形成可靠的 p-n 结以及确保纳米尺度互联一致性等挑战。在此，研究团队利用同步辐射 X 射线荧光（XRF）、X 射线激发光学发光（XEOL）、X 射线吸收近边谱（XANES）以及第一性原理模拟，对 Ga₂O₃/SnO₂ 多纳米线结构进行了研究。绘制了掺杂剂分布图，分析了纳米尺度光学响应，并确定了掺杂剂的原子配位。中央导线主要由 Sn 掺杂的 Ga₂O₃ 构成，而交叉导线则为 Ga 掺杂的 SnO₂。XEOL 映射显示，在结处 Ga₂O₃ 的 3.5 eV 紫外发光显著增强，实现了可控的光学调制。XANES 和第一性原理计算证实，Sn 和 Ga 掺杂物优先占据八面体位点，在 Ga₂O₃ 中引入施主能级，在 SnO₂ 中引入受主能级。这项研究显著推进了对复杂半导体纳米线系统中掺杂效应的理解，为在 Ga₂O₃/SnO₂ 多线架构中实现可控光学发射奠定了基础。

原文链接：

https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.5c02409