【其他论文】采用 2.38 wt% 的四甲基氢氧化铵（TMAH）光刻显影剂对（001）β-Ga₂O₃ 进行湿法刻蚀形成阶梯状表面

        由日本国立材料研究所的研究团队在学术期刊 Japanese Journal of Applied Physics 发布了一篇名为 Step-and-terrace surface formation on (001) β-Ga₂O₃ by wet etching using 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) lithographic developer（采用 2.38 wt%的四甲基氢氧化铵（TMAH）光刻显影剂对（001）β-Ga₂O₃ 进行湿法刻蚀形成阶梯状表面）的文章。

摘要

        采用标准光刻显影剂——2.38%（质量分数）四甲基氢氧化铵（TMAH）水溶液——在 25℃ 和 40℃ 的适中温度下对(001) β-Ga₂O₃ 进行了湿法刻蚀。在两种温度下，化学机械抛光表面（由布满凹坑的台阶结构组成，部分样品还存在 1 至 2 个单原子层高的岛状结构）通过逐层蚀刻过程逐渐被平滑。这导致了具有明确台阶和台地表面形态的结构，其特征为无凹坑、原子级平坦的台地和单原子层台阶（~0.56 nm）。这些发现表明，显影剂基蚀刻提供了一种简单而高度有效的制备（001）β-Ga₂O₃ 表面方法，适用于后续外延生长或器件制造。

原文链接：

https://doi.org/10.35848/1347-4065/adf380