【器件论文】高性能真空退火 β-(AlₓGa₁₋ₓ)₂O₃/Ga₂O₃ HFET，其 fᴛ/fᴍᴀx 分别为 32 GHz 和 65 GHz

        由美国纽约州立大学的研究团队在学术期刊 Applied Physics Express 发布了一篇名为 High performance vacuum annealed β-(Al_xGa_1-x)₂O₃ / Ga₂O₃ HFET with f_T/f_MAX of 32/65 GHz（高性能真空退火 β-(Al_xGa_1-x)₂O₃/Ga₂O₃ HFET，其 f_T/f_MAX 分别为 32 GHz 和 65 GHz）的文章。

摘要

        本文报道了一种采用优化再生长工艺并实现成功 Al₂O₃ 钝化的 (Al_xGa_1-x)₂O₃ / Ga₂O₃ 异质结构场效应晶体管（HFET）。该器件在漏极偏压为 5V 时实现了 0.5 A/mm 的高直流电流，在栅极电压 V_GS = 3V 时导通电阻（R_ON）为 6.1 Ω·mm；在室温下（V_DS = 15V）获得了 110 mS/mm 的峰值跨导（gm），在低温（100K）下峰值开启电流（I_ON）接近 0.8 A/mm。在射频测试中，器件的最大增益频率（f_MAX）为 65 GHz，截止频率（f_T）为 32 GHz；据作者所知，该 f_MAX 为目前基于 Ga₂O₃ 射频器件中最高之一。同时，其 f_T × LG（栅长）积约为 6.1 GHz·µm。

原文链接：

https://doi.org/10.35848/1882-0786/adeb43