【衬底论文】电子散射与跃迁传导机制在 n 型 β-Ga₂O₃ 中的作用

        由日本岛根大学的研究团队在学术期刊 Journal of Electronic Materials 发布了一篇名为 Electron Scattering and Hopping Conduction Mechanisms in n-type β-Ga₂O₃（电子散射与跃迁传导机制在 n 型 β-Ga₂O₃ 中的作用）的文章。

摘要

        在过去的十年中，n 型 β-Ga₂O₃ 样品的霍尔效应测量的实验数据迅速积累。考虑到各种电子散射机制和跳跃传导机制，对不同生长条件下制备的 n 型 β-Ga₂O₃ 样品的电导率、霍尔系数和霍尔迁移率的温度依赖性数据进行了同时拟合。除了发生跳跃传导的浅氢供体态外，在几乎所有研究的样品中都发现了电离能约为 50 meV 的额外深能级。在中等温度范围内，自由电子传导除了主要受高温下的极性光学声子散射和低温下的电离杂质散射影响外，还揭示了由浅层和深层施主能级引起的声学声子散射和中性杂质散射的显著影响。在浅层施主浓度较低的样品中，低温下以最近邻跳跃为主；而在重掺杂样品中，则发现 Mott 型可变范围跳跃占主导地位。关于浅氢供体能级的电离能，本研究得到了一个线性关系：E_D=E_D0−α₀N_A^1/3，其中 E_D0=40 meV，α₀=4.3×10⁻⁵ meV cm，N_A 表示补偿受主的浓度。

原文链接：

https://doi.org/10.1007/s11664-025-12087-z