【器件论文】无需退火的 β-Ga₂O₃ 欧姆接触通过氮等离子体处理实现

        由韩国电气研究所的研究团队在学术期刊 Journal of Materials Chemistry C 发布了一篇名为Annealing-free Ohmic contact of β-Ga₂O₃ via nitrogen plasma treatment（无需退火的 β-Ga₂O₃ 欧姆接触通过氮等离子体处理实现）的文章。

摘要

        随着人工智能时代的到来，高性能半导体材料的需求日益增长。β-Ga₂O₃ 是先进半导体应用的有前途的候选材料；然而，其金属电极接触性能有限仍是阻碍其充分利用的关键限制。在本研究中，通过直接氮等离子体处理建立了高质量的欧姆接触，有效保持了β-Ga₂O₃ 的结晶度，同时提高了其电学性能。β-Ga₂O₃ 的载流子迁移率达到了高达 76 cm² V^-1 s^-1 的水平，约为先前报道范围（15 - 20 cm² V^-1 s^-1）的四倍。显著提高的开/关比（1.7×10¹⁰）能够抑制因漏电流导致的器件故障，并解决现有的结构限制。研究结果为 β-Ga₂O₃ 作为前沿半导体材料在超低规模和多输出集成电路中的应用提供了见解。

原文链接：

https://doi.org/10.1039/D5TC00129C