【其他论文】采用亚带隙激发能量对 Sn 掺杂的 β-Ga₂O₃ 持久光电导性能进行评估

        由阿根廷圣马丁将军国立大学的研究团队在学术期刊 Journal of Physics D: Applied Physics 发布了一篇名为Evaluation of Sn-doped β-Ga₂O₃ persistent photoconductivity with sub-band gap excitation energy（采用亚带隙激发能量对 Sn 掺杂的 β-Ga₂O₃ 持久光电导性能进行评估）的文章。

摘要

        β相氧化镓（β−Ga₂O₃）被定位为适用于极端条件下光电子和电子应用的超宽带隙半导体。然而，对其进行表征并非易事。即使是标准的霍尔效应测量技术，由于样品的导电性远低于欧姆接触，也难以实施。在本研究中，研究团队提出了一种基于 280 nm 亚带隙激发光导测量对 Sn 掺杂 β−Ga₂O₃ 样品进行表征的方法。样品表现出持续的光导效应，但行为不规则。所采用的程序基于半导体中载流子输运的动力学模型。通过将模型预测的理论结果与实验光响应曲线进行拟合，估算相关参数。我们获得了电子和空穴迁移率、Sn 掺杂浓度及缺陷浓度的数值。此外，所提方法可评估测量过程中能带与缺陷间的电荷交换，从而解释观察到的行为。

原文链接：

https://doi.org/10.1088/1361-6463/addbeb