【器件论文】p-GaAs/n-Ga₂O₃ 异质结二极管中采用先进终端设计提升击穿电压

        由越南维新大学的研究团队在学术期刊 Physica Scripta 发布了一篇名为 Breakdown voltage enhancement in p-GaAs/n-Ga₂O₃ heterojunction diodes with advanced termination designs（p-GaAs/n-Ga₂O₃ 异质结二极管中采用先进终端设计提升击穿电压）的文章。

摘要

        提出了一种垂直 p-GaAs/n-Ga₂O₃ 异质结二极管（HJD），其击穿电压（V_br）高达 1210 伏，巴利加优值（BFOM）为 15.1 MW/cm²，比导通电阻（R_on,sp）为 96.9 mΩ·cm²。为了进一步提高击穿电压并减轻电场拥挤，引入了三步结终端扩展（JTE）和斜边终端。三步 JTE 有效分散了峰值电场，缓解了阳极边缘的电场集中，并改善了整体电场分布，使击穿电压提高到 1408 V。同时，斜边终端有效降低了局部电场应力，并抑制了阳极边缘和结构薄弱点的拥挤效应。在所提出的终端技术中，斜边设计提供了最有效的电场控制，显著降低了器件周边的电场梯度，并实现了最高 V_br 1475 V。这些发现为先进的 Ga₂O₃ 器件结构铺平了道路，并再次证实了边缘终端在 Ga₂O₃ 功率器件中的关键作用。

原文链接：

https://doi.org/10.1088/1402-4896/addf8f