【外延论文】使用具有超窄窗口的条纹掩模外延横向生长 c 面 α-Ga₂O₃

        由日本国立材料研究所的研究团队在学术期刊 Applied Physics Letters 发布了一篇名为 Epitaxial lateral overgrowth of c-plane α-Ga₂O₃ using a stripe mask with ultra-narrow windows（使用具有超窄窗口的条纹掩模外延横向生长 c 面 α-Ga₂O₃）的文章。

摘要

        利用窗口宽度为 50 - 750 nm 的超窄条纹掩膜，通过卤化物气相外延法演示了 α-Ga₂O₃ 的外延横向生长。α-Ga₂O₃ 条纹只在窗口上形成，而不会在掩膜上意外成核，即使在窗口最窄的掩膜上也是如此。蚀刻坑观察和横截面透射电子显微镜显示，窗口变窄后，位错向再生的 α-Ga₂O₃ 中的传播显著减少。在 50 nm 窗口掩模的情况下，凝聚薄膜（包括窗口区域和凝聚边界）中的整体位错密度低至 4 × 10⁷ cm^-2。研究人员相信，这些结果将有力地推动基于 α-Ga₂O₃ 的高性能未来功率器件的实现。

原文链接：

https://doi.org/10.1063/5.0269810