【外延论文】利用四甲基硅烷作为掺杂源，通过低压热壁金属有机气相外延法同位生长掺杂硅的 β-Ga₂O₃ 厚层

        由日本东京农工大学的研究团队在学术期刊 Applied Physics Express 发布了一篇名为 Homoepitaxial growth of thick Si-doped β-Ga₂O₃ layers using tetramethylsilane as a dopant source by low-pressure hot-wall metalorganic vapor phase epitaxy（利用四甲基硅烷作为掺杂源，通过低压热壁金属有机气相外延法同位生长掺杂硅的 β-Ga₂O₃ 厚层）的文章。

摘要

        通过采用四甲基硅烷（TMSi）作为硅（Si）掺杂源，研究人员利用低压热壁金属有机气相外延（MOVPE）方法，成功生长了厚的、有意掺硅的 β-Ga₂O₃ 本征外延层。通过调节 TMSi 的供应量，实现了 Si 掺杂浓度的线性可控，在 1.8 × 10¹⁶ 到 1.3 × 10¹⁹ cm^–3 范围内，室温电子浓度几乎等于 Si 掺杂浓度。对于 Si 掺杂浓度和室温电子浓度为 1.8 × 10¹⁶ cm^–3 的外延层，其室温电子迁移率为 136 cm² V^–1 s^–1，迁移率的限制因素被归因于极性光学声子散射。

原文链接：

https://doi.org/10.35848/1882-0786/adcfee