【器件论文】基于 Ga₂O₃ 光忆阻器的神经反应电路模拟

        由巴西ABC联邦大学的研究团队在学术期刊 physica status solidi (b) 发布了一篇名为 Circuit Emulating Neural Response Based on Ga₂O₃ Photomemristor（基于 Ga₂O₃ 光忆阻器的神经反应电路模拟）的文章。

摘要

        氧化镓 (Ga₂O₃) 是一种带隙在 4.5 到 4.9 eV 之间的透明半导体材料，由于其多功能性，近年来引起了越来越多的关注。在这项工作中，使用离子束辅助沉积法在 ≈ 800 °C 的温度下将 Ga₂O₃ 薄膜沉积在 p 型硅上。在较低温度下沉积的薄膜主要具有 β 相结构，而在较高温度下沉积的薄膜主要具有 ε 相结构。通过在 Ga₂O₃ 表面和衬底背面沉积铝触点来制造忆阻器测试器件。卢瑟福背散射结构分析表明，存在从顶部触点到薄膜的铝扩散。对独立器件的电流-电压测量提供了理解忆阻器操作的关键信息，揭示了其双极特性和对可见光浸泡的响应。讨论了涉及因氧空位而形成的细丝的电阻开关行为；然而，由于存在光响应，电阻开关最合理的解释是陷阱/去陷阱机制。在提出的神经形态电路测量中，旨在利用一个模拟神经膜的电路，并研究忆阻器对光刺激的响应行为。这种方法被证明是观察模仿人类视觉的动作电位的绝佳工具。

原文链接：

https://doi.org/10.1002/pssb.202400484