【外延论文】通过常压化学气相沉积制备 β-Ga₂O₃/ε-Ga₂O₃ II 型相结

        由华北电力大学的研究团队在学术期刊 Ceramics International 发布了一篇名为 Preparation of β-Ga₂O₃/ε-Ga₂O₃ type II phase junctions by atmospheric pressure chemical vapor deposition（通过常压化学气相沉积制备 β-Ga₂O₃/ε-Ga₂O₃ II 型相结）的文章。

摘要

        我们通过在蓝宝石衬底上进行一步常压化学气相沉积工艺，利用氧化镓中不同的晶相，合成了 β-Ga₂O₃/ε-Ga₂O₃ 相结，并相应地调整了温度和气体流速等参数。通过 X 射线衍射 (XRD) 和拉曼光谱分析验证了这两种晶相的共存，而光学显微镜则提供了相结形成过程中表面形貌变化的直观证据。此外，我们利用紫外-可见分光光度计来量化带隙，并将该数据与 X 射线光电子能谱 (XPS) 的核能级峰和价带谱分析相结合，以构建 β-Ga₂O₃/ε-Ga₂O₃ 相结的能级结构。我们的研究结果表明，该相结表现出 II 型能带排列，测得的价带和导带偏移分别为 0.54 eV 和 0.41 eV。这一发现对于利用氧化镓的自供电光电探测器以及其他潜在应用具有重要意义。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2024.12.472