【器件论文】高反向偏置电压下 β-Ga₂O₃ 肖特基势垒二极管中的 Franz-Keldysh 效应

        近期，由日本东京大学的研究团队在学术期刊 Applied Physics Express 发布了一篇名为 Franz-Keldysh effect in β-Ga₂O₃ Schottky barrier diode under high reverse bias voltage（高反向偏置电压下 β-Ga₂O₃ 肖特基势垒二极管中的 Franz-Keldysh 效应）的文章。

摘要

        研究了 Ni/β-Ga₂O₃ 肖特基势垒二极管在 275 至 1200 nm 波长范围内的亚带隙单色光照射下光电流的反向电压依赖性。在低反向偏压条件下，观察到由内部光发射引起的光电流。然而，在高反向偏压条件下，接近吸收边缘的光电流随着反向电压显着增加，并且对于更接近吸收边缘的波长，这种增加更加明显。基于 Franz-Keldysh (FK) 效应诱导的直接光吸收的数值计算与实验数据显示出良好的一致性。

原文链接：

https://doi.org/10.35848/1882-0786/ad9664