【外延论文】铽浓度对 Ga₂O₃ 薄膜特性的影响

        近期，由日本佐贺大学的研究团队在学术期刊 Japanese Journal of Applied Physics 发布了一篇名为Effects of terbium concentrations on the characteristics of Ga₂O₃ films（铽浓度对 Ga₂O₃ 薄膜特性的影响）的文章。

摘要

        本研究调查了 Tb 掺入 Ga₂O₃ 薄膜及其对其结构、光学和发光性能的影响。通过调整靶材中的 Tb 组成来控制 Ga₂O₃ 薄膜中的 Tb 组成。X 射线衍射分析揭示了随着 Tb 组成增加晶格膨胀。原子力显微镜图像描绘了在不同 Tb 组成下始终平滑的薄膜表面。光学透射谱显示出高透射率和直接带隙跃迁，并且没有观察到与 Tb 组成有关的带隙显着变化。光致发光谱显示出特征性的 Tb 离子发射峰，其强度最初增加，然后达到平台期，这归因于发光中心增加和晶体质量恶化之间的平衡。这项研究显着增强了我们对 Tb 掺杂对 Ga₂O₃ 薄膜影响的理解，并为其在光电子学中的应用提供了宝贵的见解。

原文链接：

https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad9a44