【国际论文】β-Ga₂O₃ 中主要深能级俘获截面随温度变化的观测

        由俄罗斯国家研究型技术大学（MISIS）的研究团队在学术期刊 Journal of Applied Physiology 发布了一篇名为 Observation of temperature-dependent capture cross section for main deep-levels in β-Ga₂O₃（β-Ga₂O₃ 中主要深能级俘获截面随温度变化的观测）的文章。

摘要

        由于需要在双栅深能级瞬态谱 (DLTS) 中使用极短的填充脉冲，直接观察捕获截面具有挑战性。可以通过 DLTS 和导纳谱数据简单估计截面，但要区分发射率方程的指数前因子和指数部分的温度依赖性，并进行单一实验，这是不可行的。本文介绍了我们小组自 2017 年以来收集的 β-Ga₂O₃ 中深能级的实验数据。基于收集的数据，我们假设通过多声子发射模型的温度相关捕获，推导了表观激活能 (E_a^m)和捕获截面 (σ_n^m)，这导致(E_a^m) 和 (σ_n^m)之间根据 Meyer-Neldel 规则存在强相关性，这使我们能够估计低温和高温捕获系数 C₀ 和 C₁ 以及捕获势垒 E_b。还表明，如果不考虑捕获截面的温度依赖性，σ_n 的实验值会高估 1-3 个数量级。仔细考虑数据还可以通过考虑两个附加参数 (E_MN 和 σ₀₀) 来更确定地通过其“指纹”（E_a 和 σ_n）识别深能级，并验证深能级复合性质的密度泛函理论计算。