【器件论文】Ga₂O₃ 各种多晶体中巨大的光敏增益与较长的光电流衰减时间相结合：载流子与深中心捕获的影响

        近期，由俄罗斯国家研究型国立科技大学（MISIS）的研究团队在学术期刊 Journal of Physics D: Applied Physics 发布了一篇名为 Huge photosensitivity gain combined with long photocurrent decay times in various polymorphs of Ga₂O₃: effects of carriers trapping with deep centers（Ga₂O₃ 各种多晶体中巨大的光敏增益与较长的光电流衰减时间相结合：载流子与深中心捕获的影响）的文章。

摘要

        超宽带隙 Ga₂O₃ 材料系统已经在高光响应度、高光响应增益和低暗电流的太阳盲光电探测器领域展现出巨大的潜力。这些有希望的结果是在不同多晶型的 Ga₂O₃ 薄膜上通过不同的方法获得的，通常不是以特别高的晶体质量获得的。事实上，通常情况是，薄膜的晶体质量越低，光敏性和其增益就越高。然而，这在大多数情况下伴随着异常长的光电流建立和衰减时间。研究团队表明，实验结果可以用模型来解释，其中高光敏增益与空穴被深能级捕获的影响有关，这在肖特基二极管中导致肖特基势垒高度降低，从而导致电子电流增加，并且在金属-半导体-金属 (MSM) 结构中还导致由于电子浓度和寿命增加而导致的常规增益增加。团队提出并讨论了描述 Ga₂O₃ 肖特基二极管、MSM 结构、单极和双极异质结中效应的模型，并提出了不同 Ga₂O₃ 多晶型中空穴陷阱可能的角色。还讨论了光电流建立和衰减时间的现有结果，并提供了对观察到的特征时间温度依赖性的可能解释，其中存在此类数据。

原文链接：

https://doi.org/10.1088/1361-6463/ad8e6e