【其他论文】(Al₀.₁₈Ga₀.₈₂)₂O₃上 Ti/Au、Ni/Au 和 Sc/Au 欧姆接触金属叠层的比较

        由美国佛罗里达大学的研究团队在学术期刊 Journal of Materials Science 发布了一篇名为Comparison of Ti/Au, Ni/Au, and Sc/Au ohmic contact metal stacks on (Al_0.18Ga_0.82)₂O₃（ (Al_0.18Ga_0.82)₂O₃ 上 Ti/Au、Ni/Au 和 Sc/Au 欧姆接触金属叠层的比较）的文章。

摘要

        研究了三种不同的金属堆栈，即 Ti/Au、Ni/Au 和 Sc/Au，作为欧姆金属接触用于 Si 掺杂的 n 型 (4.1 × 10¹⁹ cm⁻³)、300 nm 厚的 (Al_0.18Ga_0.82)₂O₃ 层，该层由金属有机化学气相沉积生长。这是 (Al_xGa_1-x)₂O₃/Ga₂O₃ 异质结构场效应晶体管的典型组成。通过圆形传输长度法（CTLM）测量，检查了后沉积退火（300–475 °C）的影响，以确定传输电阻和比接触电阻。Ti/Au 实现了最低电阻，对于未退火的接触，比接触电阻为 1.2 × 10^–4 Ω·cm² ，传输电阻为 3.82 Ω·mm。发现退火会降低所有情况下的这两种电阻，即使 AGO 片层电阻略有下降，从 1191 Ω/□ 降至 475 °C 退火后为 905 Ω/□。还研究了比接触电阻的温度依赖性。

原文链接：

https://doi.org/10.1007/s10853-024-10330-2