【外延论文】利用连接稳定的介电弛豫对 β-Ga₂O₃ 中的电子迁移率进行汞探针测量

        近期，由美国空军研究实验室的研究团队在学术期刊 Japanese Journal of Applied Physics 发布了一篇名为 Mercury-probe measurement of electron mobility in β-Ga₂O₃ using junction moderated dielectric relaxation（利用接合适中的介电弛豫对 β-Ga₂O₃ 中的电子迁移率进行汞探针测量）的文章。

摘要

        我们演示了一种接合适中的介电弛豫法来测量 β-Ga₂O₃ 外延层中的面内电子迁移率。与霍尔技术和场效应晶体管中的沟道迁移率测量不同，这种方法不需要沉积永久金属接触。相反，它测量了由肖特基接触、准中性薄膜半导体和欧姆接触串联组成的汞/β-Ga₂O₃/汞结构的等效电容的对偏压和频率依赖性。块状 β-Ga₂O₃ 半导体的本征介电弛豫通常发生在 ~ 10¹² s^-1 左右，但在由汞/β-Ga₂O₃ 肖特基结调节时，它表现为在 ~10⁶ s^-1 的较低频率下电容-频率特性的拐点，在大多数电容测量仪器的范围内。利用从电容-电压测量确定的载流子密度和层厚，我们从接合适中的介电弛豫频率中提取 β-Ga₂O₃ 的电子迁移率。

原文链接：

https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad8531