【其他论文】电子辐照 beta-Ga₂O₃ 中缺陷的光致发光研究

        近期，由太原科技大学的研究团队在学术期刊 Applied Physics Letters 发布了一篇名为Study of photoluminescence from defects in electron-irradiated beta-Ga₂O₃（电子辐照 beta-Ga₂O₃ 中缺陷的光致发光研究）的文章。

摘要

        关于 β-Ga₂O₃ 缺陷的研究是其在高端领域得以应用的首要步骤。然而，对于 660-850 nm（近红外）光致发光（PL）波段究竟源于哪种缺陷结构，仍存在争议。通过采用低温 PL 光谱对 660-850 nm 波段的 PL 特性进行了研究。此外，借助电子辐照在（100）面 β-Ga₂O₃ 晶体中人为引入本征缺陷，致使 660-850 nm 波段显著增强。结合去卷积拟合分析与晶格弛豫理论表明，该波段由零声子以及单个或多个声子跃迁共同导致。依据晶体结构和形成能模拟，认为 660-850 nm 的 PL 波段与晶格中三个等效位置上的氧空位有关。

原文链接：

https://doi.org/10.1063/5.0215216