【器件论文】Al₂O₃/Ga₂O₃ 双层栅极堆叠 GaN MOS-HEMT 的高温工作温度高达 450 °C，栅极漏电得到抑制

        近期，由阿卜杜拉国王科技大学的研究团队在学术期刊 Japanese Journal of Applied Physics 发布了一篇名为 High temperature operation of Al₂O₃/Ga₂O₃ bi-layer gate stack GaN MOS-HEMT up to 450 °C with suppressed gate leakage（Al₂O₃/Ga₂O₃ 双层栅极堆叠 GaN MOS-HEMT 的高温工作温度高达 450 °C，栅极漏电得到抑制）的文章。

摘要

        在这项工作中，我们报告了通过使用氧化铝（Al₂O₃）和氧化镓（Ga₂O₃）作为硅基底上 GaN MOS-HEMT 的双层栅极堆叠，降低了栅极漏电流，运行温度高达 450 °C。与仅使用 Al₂O₃ 的 GaN MOS-HEMT 相比，双层栅极堆叠 MOS-HEMT 在 450 °C 时抑制了栅极漏电流四个数量级以上。低栅极漏电流归因于 Ga₂O₃ 层中存在的氧空位减少，这有效地阻碍了 Poole–Frenkel 效应在高温下的传导路径，从而提高了 GaN HEMT 的整体性能。

原文链接：

https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad8714