【器件论文】通过插入 SiO₂ 介电层对 ZnO/a-Ga₂O₃ 异质结光电探测器的光响应进行非线性调整

        近期，由长春理工大学的研究团队在学术期刊 Journal of Materials Chemistry C 发布了一篇名为Nonlinear adjustment of the photoresponse of ZnO/a-Ga₂O₃ heterojunction photodetectors by inserting a SiO₂ dielectric layer（通过插入 SiO₂介电层对 ZnO/a-Ga₂O₃ 异质结光电探测器的光响应进行非线性调整）的文章。

摘要

        ZnO/a-Ga₂O₃ 异质结光电探测器在日盲紫外波段的检测能力受到了广泛关注。然而，异质结光电探测器通常表现出较低的响应度。此外，由于 ZnO 和 a-Ga₂O₃ 的导带偏移较小，在施加偏压电压下，光电探测器存在明显的暗电流。为了提高光电探测器的响应度并降低暗电流，本文设计并制备了 ZnO/SiO₂/Ga₂O₃ 光电探测器。该光电探测器在 30 V 偏压电压下表现出光响应的突然增加，并在 365 nm 照射下表现出 23.7 A W⁻¹ 的响应度。与低偏压电压相比，它表现出显着的非线性增加。此外，在 20 V 偏压电压下，器件的光暗电流比与 ZnO/a-Ga₂O₃ PD 相比从 14 增加到 1000，表明该器件具有出色的弱光检测能力。这项研究为提高异质结势垒高度和增强光电探测器的性能提供了一种新的策略。

原文链接：

https://doi.org/10.1039/D4TC02641A