【衬底论文】β-Ga₂O₃ 晶体中的弯形孪晶边界

        近期，由山东大学的研究团队在学术期刊 Crystal Growth & Design 发布了一篇名为Bent-Shaped Twin Boundary in β-Ga₂O₃ Crystals（β-Ga₂O₃ 晶体中的弯形孪晶边界）的文章。

摘要

        孪晶界（TB）作为一种二维缺陷，会限制晶体材料的尺寸，降低单晶产量，并影响后续器件的性能。β-Ga₂O₃ 是一种极具前景的超宽禁带半导体材料，但其应用受到了孪晶问题的严重制约。在本研究中，发现并详细讨论了 β-Ga₂O₃ 晶体中的弯曲状 TB 上午未贯穿孪晶结构。通过电子反向散射衍射（EBSD）和球面差校正扫描透射电子显微镜（AC-STEM）技术，从(010)和(100)方向对β-Ga₂O₃中弯曲形孪晶界的取向差异和原子尺度的微观结构进行了深入研究。结果表明，弯曲形孪晶界为180°孪晶界，由非共格孪晶界（ITB）Ga₂O₃ 与(100)共格孪晶界（CTB）组合形成。ITB可以进一步表示为 (-102)-CTB 与 (100)-CTB 的组合。基于孪晶形成能（E_TB）和晶体生长动力学，阐明了 β-Ga₂O₃ 中弯曲形孪晶界的形成机制。本研究揭示了弯曲形孪晶界的微观结构及其形成机制，丰富了关于 β-Ga₂O₃ 晶体缺陷的研究。

原文链接：

https://doi.org/10.1021/acs.cgd.4c00875