【器件论文】基于 InSe/β-Ga₂O₃ 异质结的低暗电流自供电光电探测器

      近日，由哈尔滨工业大学的研究团队在学术期刊Journal of Materials Chemistry C发布了一篇名为Self-powered photodetector with low dark current based on the InSe/β-Ga₂O₃ heterojunctions（基于 InSe/β-Ga₂O₃ 异质结的低暗电流自供电光电探测器）的文章。

摘要

      日盲光电探测器在导弹追踪和火灾预警等多个领域中发挥着重要作用。本研究采用InSe/β-Ga₂O₃异质结制造了高性能自供电的日盲光电探测器。通过低成本的溶胶-凝胶工艺制备了4英寸晶圆级的β-Ga₂O₃薄膜。制备出的β-Ga₂O₃薄膜平整均匀，均方根粗糙度（RMS）为1.08nm。通过堆叠波长范围为 230 nm至 800 nm的 InSe 片，构建了 InSe/β-Ga₂O₃ 自驱动日盲紫外光探测器。该探测器能够在零偏压下探测230nm深紫外光，暗电流极小（3.98 fA），响应度约为122.69 μA W⁻¹。这些优异的结果展示了4英寸多晶取向β-Ga₂O₃在光导光伏设备中的潜力。

原文链接：

https://doi.org/10.1039/D4TC02790F