【国际论文】用于电力电子应用的宽带隙半导体中的电荷陷阱

        由马来西亚国油科技大学的研究团队在学术期刊Inorganics发布了一篇名为Charge Traps in Wide-Bandgap Semiconductors for Power Electronics Applications（用于电力电子应用的宽带隙半导体中的电荷陷阱）的文章。

摘要

        宽带隙半导体因其在更高温度和更高电压下工作的能力而被视为电力电子应用的理想材料。然而，缺陷的存在可能导致器件失效，因此对材料缺陷的全面理解至关重要。本综述提供了在电力电子中三种前景广阔的半导体（4H-SiC、GaN和β-Ga₂O₃）已知缺陷的特征分析。通过对缺陷——电活性电荷陷阱的起源、激活能和捕获截面的详细讨论，我们提供了缺陷参数分布的重要见解。本综述不仅作为参考，还提供了区分相似缺陷的战略路线图。这种知识对开发更为稳健和高效的电力电子器件至关重要，以充分利用宽带隙半导体的潜力。